Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович icon

Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович




НазваМіністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович
Сторінка4/8
Дата конвертації04.04.2015
Розмір1.85 Mb.
ТипДокументи
джерело
1   2   3   4   5   6   7   8

^ 2.3 Моделювання електричних параметрів насіння

Наявність у біологічних тканинах поляризованих мембран приводить до того, що, крім активного опору, біологічні тканини характеризуються ще і ємнісним опором. Взагалі, опір біологічних тканин внаслідок вищезгаданих причин буде комплексним. Мембрану клітини можна представити у вигляді паралельно з’єднаних активного опору і ємності (реактивного ємнісного опору). Опори міжклітинного і внутрішньоклітинного середовища будуть мати переважно тільки активну складову. У разі порушення обмінних процесів і руйнації мембран ємнісна складова комплексного опору буде зменшуватись. Еквівалентна електрична схема біологічної тканини може бути представлена у вигляді, показаному на рис. 2.11 [86, 143].


Рисунок 2.11 – Еквівалентна електрична схема біологічної тканини:

С – ємність мембран; R1 – активний опір мембран; R2 – опір клітин; R3 – опір міжклітинного середовища.


За рахунок наявності ємнісної складової, загальний опір біологічних тканин буде залежати від частоти, на якій здійснюється вимір опору (рис. 2.12) [86, 89]. Зі збільшенням частоти загальний опір буде зменшуватися за рахунок зменшення ємнісної складової опору.


Рисунок 2.12 – Залежність опору біологічних тканин від частоти струму [82]: 1 – жива тканина; 2 – тканина зі зниженою інтенсивністю обмінних процесів; 3 – мертва тканина.

На високих частотах опір буде прямувати до нуля, а загальний опір перестає залежати від частоти і визначається паралельно з’єднаними опорами R2 і R3. Таке явище має місце на частотах 105–106 Гц. Найбільший опір біологічна тканина має для постійного струму і струму низької частоти, коли ємнісний опір набагато перевищує значення опору R1 (рис. 2.12). Відношення опору на низькій частоті до опору на високій частоті називається поляризаційним коефіцієнтом. Величина поляризаційного коефіцієнту вказує на інтен-сивність обмінних процесів. Чим більша інтенсивність обмінних процесів, тим більший поляризаційний коефіцієнт. Зазначимо, що у разі припинення обмінних процесів і руйнування клітинних мембран поляризаційний коефіцієнт зменшується. Самі мембрани стають провідниками, їхній опір стає малим. Тому загальний опір буде мати найменше значення і не буде залежати від частоти.

За частоти змінного струму близько 105–106 Гц ємнісна складова комплексного опору зменшується. Активний опір не залежить від частоти і лишається весь час сталим.

Коли клітини мембрани повністю зруйновані або їх функції остаточно порушені, ємнісна складова комплексного опору майже відсутня, то загальний опір перестає залежати від частоти і може вважаться чисто активним [82, 86, 89].

Біологічна тканина насіння складається з великої кількості клітин, розділених міжклітинним середовищем. Самі клітини можуть відрізнятися одна від одної формою, розміром. Також важливе значення має взаємне розташування клітин у тканині насіння. Безпосередньо використовувати розглянуту еквівалентну схему (рис. 2.11) для опису електричних характеристик тканини насіння не зручно, оскільки значення параметрів C, R1, R2, R3 будуть залежати від розмірів і форми тіла. Для порівняння електричних властивостей різних матеріалів треба врахувати масштабний фактор. З іншого боку, неможливо створити модель, яка б повністю описувала структуру і процеси такої складної системи як біологічна тканина, в тому числі й тканина насіння.
Тому необхідно зробити деякі спрощення.

Для зручності визначення лінійних розмірів клітин, що необхідно для врахування масштабного фактору, представимо клітини у вигляді прямокутних паралелепіпедів. Розміри паралелепіпедів такі ж, як і розміри клітин. Зміна форми клітини істотно не вплине на електричні параметри. Як відомо, на електричні параметри впливають, перш за все, фізичні властивості тіла –питомий опір, діелектрична проникність, лінійні розміри. Форма тіла має другорядне значення.

У самому насінні клітини зорієнтовані в різних напрямках і можуть об’єднуватися в різні структури (шкірка, зародок тощо), в яких спостерігається певна впорядкованість розташування клітин. Врахувати всі структури насіння і просторову орієнтацію клітин в них неможливо. Тому в моделі зробимо спрощення і розташуємо клітини впорядковано у вигляді прямокутного паралелепіпеда (рис. 2.13). У цій моделі клітини розглядаються як паралелепіпеди певних розмірів, оточені зовнішніми клітинними мембранами, які,
в свою чергу, оточені міжклітинним середовищем [10, 11].


Рисунок 2.13 – Модель тіла, що має клітинну будову: 1 – вміст клітини; 2 – клітинна мембрана; 3 – міжклітинне середовище; а, в, d – лінійні розміри клітини; А, В, l – лінійні розміри насіння.

Між клітинами знаходиться середовище, яке має активну провідність. Внутрішня частина клітини також характеризується активною провідністю. Клітинна мембрана характеризується комплексним опором, який має активну і ємнісну складові. Еквівалентна електрична схема однієї комірки моделі (клітини) може бути представлена певним поєднанням опорів і ємностей (рис 2.14).


Рисунок 2.14 – Еквівалентна електрична схема клітини: rм – активний опір мембрани, Ом; Cм – ємність мембрани, Ф; rк – опір вмісту клітини, Ом; rмк – опір міжклітинного середовища, Ом.

Оскільки можна вважати, що опір міжклітинного середовища набагато менший опору клітини rмс << rк, то у подальших розрахунках не будемо враховувати rмс.. Комплексний опір мембрани , паралельно з’єднаних rм і См, буде визначатися таким чином [152]:

а після перетворень одержимо:

, (2.53)

де: Хс – ємнісний опір мембрани, Ом;

rм – активний опір мембрани, Ом;

См – ємність мембрани, Ф;

ω – циклічна частота струму, рад/с;

j – уявна одиниця.

Таким чином, загальний комплексний опір комірки буде визначатися наступним виразом:

після перетворень одержимо:

, (2.54)

де rк – опір вмісту клітини, Ом.

За малих значень ємності клітинних мембран, коли знижена інтенсивність обмінних процесів або частково порушена цілісність мембран, а також коли вимір опору здійснюється на невеликих частотах, буде мати місце не-рівність 1>>. Опір комірки буде визначатися наступним чином:

. (2.55)

За великих значень ємності і опору клітинних мембран (>>1), коли мембрани цілісні й у них інтенсивно проходять обмінні процеси, а
також за великих значень частоти струму, за допомогою якого проводиться вимірювання опору, буде мати місце рівність:

. (2.56)

Визначивши опір однієї комірки, необхідно врахувати масштабний
фактор у відповідності до наведеної моделі. Загальний опір послідовно з’єднаних клітин визначається наступним виразом:

,

де – кількість клітин у ланцюжку у відповідності до моделі.

Загальна кількість таких ланцюжків у моделі , що дорівнюють, відповідно, і . Тоді, з урахуванням усіх ланцюжків, загальний опір моделі буде дорівнювати:

,

,

де: – загальний комплексний опір моделі, Ом;

– коефіцієнт форми, , м (його значення близьке до лінійних розмірів клітин);

^ S – площа поперечного перерізу моделі, S = A·B, м2;

R – опір міжклітинного середовища.

Очевидно, що опір міжклітинного середовища буде визначатися за
формулою

,

де – ефективний питомий опір міжклітинного середовища, Ом·м.

Таким чином, загальний опір моделі буде:

, (2.57)

. (2.58)

Підставляючи в рівняння (2.57) вираз (2.54), остаточно одержимо:

,

,


,(2.59)

де

,

.


Аналізуючи вираз (2.59), можна побачити, що простий вигляд воно має тільки у деяких поодиноких випадках [11], коли здійснюється висока поляризація клітинних мембран (значна інтенсивність обміну речовин):  >> 1. Якщо, крім того, можна знехтувати провідністю міжклітинного середовища, тобто 0 і, відповідно, , то поділивши чисельник і знаменник виразу (2.59) на і враховуючи, що, за зробленими припущеннями, , одержимо:

. (2.60)

Тобто, за зроблених припущень, опір насіння складається з послідовно з’єднаних активного опору і ємнісного опору .

Якщо опір комірки моделі (клітини) переважно реактивний (ємнісний), але провідністю міжклітинного середовища нехтувати не можна, то

. (2.61)

У цьому випадку ми маємо паралельне з’єднання активного опору міжклітинного середовища і ємнісного опору мембрани.

Треба мати на увазі, що за достатньо низьких і достатньо високих частот опір тканини буде переважно активним, але його абсолютне значення за низьких частот суттєво залежить від ступеня поляризації клітинних мембран.


^ 2.4 Дослідження змін електричних параметрів насіння під впливом високочастотного опромінення

Результат дії високочастотного електромагнітного поля на насіння залежить від електричних характеристик насіння. Крім того, вивчення зміни електричних характеристик після ВЧ обробки насіння дає певні відомості щодо зміни обмінних процесів у насінні.

Визначення електричних характеристик насипного насіння озимої пшениці проводили за допомогою вимірювача добротності (Q-метра) Е-4-4. Діапазон частот генератора цього приладу знаходиться в межах від 50кГц до 35 МГц. Вимірювання проводилися на частотах 3, 6, 9, 12 МГц. Використовувався метод розстроювання ємності. Насіння насипали у вимірювальну
комірку, в якій знаходилися дві паралельні металеві пластинки, що утворювали плоский конденсатор. Діелектриком такого конденсатора виступало насипане в комірку насіння. Для вимірів застосовували котушки з попередньо визначеними значеннями індуктивності і добротності [12, 14].

Вимірювали характеристики необробленого насіння (контрольна партія) і насіння, обробленого електромагнітним полем ВЧ діапазону. Опромінення ВЧ полем проводили на частоті 27,12 МГц за допомогою апарата УВЧ-60 Мед ТеКо. Потужність опромінення складала 60 Вт, а тривалість обробки – 5 хвилин.

Для обробки насіння ВЧ полем і для вимірювання його електричних характеристик використовувалося незволожене насіння, його вологість складала приблизно 10 %.

За допомогою Q-метра вимірювали комплексний опір, тобто активну і ємнісну складові опору. Для визначення цих характеристик використовували паралельну схему з’єднання ємності й активного опору. Це дозволило розрахувати діелектричну проникливість і питомий опір насіння.

Експериментальні результати визначення діелектричної проникливості, активного опору і тангенса діелектричних втрат для неопроміненого і опроміненого насіння наведені на рис. 2.15–2.17.

Із наведених результатів видно, що обробка насіння полем ВЧ впливає на його електричні характеристики. Слід зазначити, що в дослідах використовувалося сухе насіння, тобто насіння, яке спеціально не зволожували. Внаслідок цього ємнісна складова комплексного опору значно перевищує його активну складову і дозволяє, в даному випадку, вважати насіння діелектриком.

Іншою особливістю є те, що насіння не можна представити у вигляді однорідного діелектрика, в якому відбувається тільки один із відомих видів поляризації (електронна, дипольна, об’ємно-зарядна) [83, 85]. До складу зерна входять біологічні мембрани, стан яких суттєво впливає на електричні властивості. Ступінь поляризації мембран певним чином змінюється під дією будь-яких зовнішніх подразників [7, 12, 14, 25, 128].


Рисунок 2.15 – Залежність діелектричної проникливості опроміненого (нижня крива) і неопроміненого (верхня крива) насіння пшениці від частоти

Рисунок 2.16 – Залежність активного опору опроміненого (нижня крива) і неопроміненого (верхня крива) насіння від частоти

Рисунок 2.17 – Залежність тангенса кута діелектричних втрат опроміненого (верхня крива) і неопроміненого (нижня крива) насіння від частоти


Зі збільшенням частоти активні втрати збільшуються внаслідок того, що іони частіше вимушені робити перескоки через мембрану, на що витрачається більша енерґія. Цей висновок підтверджується результатами виміру активного опору і тангенса кута діелектричних втрат.

Опромінене насіння характеризується меншим значенням активного опору для паралельної схеми вимірювання, що, на нашу думку, пов’язано зі збільшенням проникливості мембран після опромінення зерна полем ВЧ.

Для визначення електричного опору окремих зерен насіння пшениці використовувався міст, побудований на базі генератора ГЗ-56/1, «нуль-приладу», магазину опорів і еталонної ємності (змінний конденсатор)
(рис. 2.18). Діапазон частот, на яких проводилися вимірювання, був у межах від 2000 до 200000 Гц. Частота вимірювання контролювалася частотоміром РЧ3-07-0001. В якості «нуль-приладу» використовувався осцилограф ОДШ-2 з фазоінвертором. Вимірювальна комірка має пружинні контакти, які забезпечують постійний тиск на насіння.

Недоліком методу вимірювання опору насіння за допомогою мостів змінного струму є те, що на частотах одиниць і десятків герц відбувається значна поляризація на електродах, яка спотворює результати вимірів. Внаслідок цього виникають труднощі при екстраполяції результатів опору на
нульову частоту.


Рисунок 2.18 – Електрична схема вимірювання опору окремих зерен і схема вимірювальної комірки

Сухе насіння пшениці, тобто насіння з вологістю 5–10 %, знаходиться в стані «спокою» і має дуже велике значення опору (опір близько 109 Ом∙м).
У більшості випадків, згідно з поставленою метою, вимір електричного опору зерен насіння розглянутим методом проводився після утримання насіння на вологому фільтрувальному папері через добу.

Результати вимірювання опорів на різних частотах представлені в таблиці 2.5.

Таблиця 2.5 –

Загальний опір насіння на різних частотах

Частоти, на яких проводились вимірювання опору f, кГц

2

20

50

100

150

200

Загальний опір
неопроміненого насіння Z, кОм

2,33

1,93

1,53

1,26

1,13

1,04

Загальний опір опроміненого
насіння Z, кОм

1,95

1,48

1,11

0,88

0,79

0,73


Експериментальна крива залежності опору від частоти показана на
рис. 2.19.

Рисунок 2.19 – Частотна залежність загального опору насіння:
неопромінене насіння (верхня крива); опромінене насіння (нижня крива)

Аналізуючи наведену залежність, можна зробити висновок, що загальний опір насіння з частотою зменшується. Як зазначалося раніше, біологічна тканина насіння не може бути представлена простими поєднаннями опору і ємності. Ні паралельна, ні послідовна схеми не можуть у повній мірі свідчити про складові опору насіння.

Відношення опору на низькій частоті до опору на високій (поляризаційний коефіцієнт у межах досліджуваного діапазону частот) для неопроміненого насіння складає 2,24, для опроміненого насіння – 2,67. Це може вказувати на збільшення інтенсивності обмінних процесів у насінні після опромінення. Крива залежності опору насіння від частоти для опроміненого насіння лежить нижче, ніж неопроміненого, що пов’язано зі збільшенням водопоглинання в опроміненому насінні.

Відомо, що збільшення кількості гідратної води крохмалю прискорює процеси росту [89, 127]. Тобто, в цьому випадку опроміненням досягається позитивний результат. Запасаючий білок глютен акумулює амінокислоти і інші поживні речовини. Можливо, що ВЧ опромінення запускає активний метаболізм, під час якого білок розчеплюється, поживні речовини вивільняються, а енерґія розчеплення і амінокислоти йдуть на інтенсифікацію обмінних процесів.

^ Висновки до розділу 2

1. Розроблена математична модель теплового режиму опромінення дала змогу описати фізичні процеси нагрівання шару насипного насіння шляхом дії електромагнітного поля ВЧ діапазону, що дозволило конкретизувати технічні параметри обладнання при проектуванні приладів ВЧ обробки та для визначення параметрів їх роботи.

2. Теоретично доведено та експериментально підтверджено, що на початкових стадіях обробки насіння ВЧ полем температура середнього шару насіння спочатку росте лінійно, а далі за експоненційним законом прямує до усталеного значення. Визначено, що нагрів насіння під час обробки залежить від потужності опромінення, часу обробки, товщини шару насіння, теплопровідності, теплоємності й коефіцієнту теплообміну Ньютона.

3. Розроблено електричну модель насіння сільськогосподарських культур. Встановлено, що еквівалентна електрична схема насіння є комбінованою і її неможливо звести до послідовно чи паралельно з’єднаних постійних
ємності та активного опору. Вона дозволяє аналізувати пасивні електричні характеристики насіння на різних частотах до і після опромінення.

4. Експериментально підтверджено, що під дією ВЧ опромінення змінюються електричні властивості насіння: загальний опір, діелектрична проникливість, збільшується тангенс кута діелектричних втрат і поляризаційний коефіцієнт, що пояснюється інтенсифікацією обмінних процесів, збільшенням водопоглинання і, як наслідок, стимулюється процес проростання.

Результати досліджень другого розділу опубліковано [10, 11, 22, 25, 28] та обговорено на [12, 14, 16, 19, 20,].


Розділ 3

Розробка та аналіз біотехнічної системи передпосівного опромінення насіння високочастотним
електромагнітним полем



Розробка будь-якої БТС тісно пов’язана з використанням різних фізичних явищ, полів і випромінювань, їх взаємодією з біологічним об’єктом на макро-, мікро- і нанорівнях. Основним завданням є дослідження умов передачі дії, що сформована технічними засобами, біологічному об’єкту, а також вибір форми, інтенсивності, тривалості й інших параметрів дії, узгоджених із фізіологічними характеристиками біооб’єкту.

Особливість даної БТС полягає в тому, що вона включає два біооб’єкти: перший − насіння, стимуляція якого ЕМ полем повинна інтенсифікувати процес схожості і зростання; другий – людина-оператор, опромінення якого електромагнітним полем у діапазоні частот від 20 до 300 МГц призводить до поглинання енерґії поля усім тілом людини, особливо певними значними об’ємами локального поглинання (наприклад, головним мозком, клітинами нервової системи та ін), що може викликати небажані наслідки. Ці суперечливі вимоги, з точки зору випромінюваної ЕМ енерґії, необхідно враховувати при розробці БТС стимуляції насіння.


^ 3.1 Принцип побудови біотехнічної системи опромінення насіння

Системи електромагнітного опромінення (стимуляції) насіння є біотехнічними системами. Біотехнічна система (БТС) − це сукупність взаємопов’язаних і взаємозалежних біологічних і технічних систем або об’єктів, спрямованих на рішення єдиної задачі. Біотехнічні системи можна розділити на наступні види [154]:

- БТС медичного призначення для лікування людей;

- БТС ветеринарної медицини і тваринницького призначення;

- БТС рослинного призначення;

- БТС, призначені для обробки ґрунту.

Системи передпосівної електромагнітної стимуляції насіння є типовими БТС рослинного призначення. Ці системи, що формують способи зовнішньої дії на рослинні біологічні об’єкти і пов’язані з використанням електромагнітних (ЕМ) полів, є найпоширенішими на сьогодні і дозволяють створювати нові технології, що мають високу біологічну і економічну ефективність [128, 133].

Запропонований метод полягає в опроміненні насіння електромагнітним полем високої частоти, яке виникає між конденсаторними пластинами, з’єднаними з генератором електромагнітних коливань (рис 3.1) [30].


Рисунок 3.1 – Структурна схема реалізації методу опромінення насіння ЕМ полем: ГС − генератор ЕМ сигналів; К − ключ; УП − блок управління;
БО − біологічний об’єкт.

Метод полягає в поєднанні теплового впливу і нетеплового впливу ЕМ випромінювання.

Використовується синусоїдальна безперервна форма сигналу, що задається генератором сигналів (ГС) і забезпечується роботою ключа і блоку управління.

Час опромінення обумовлений біофізичними властивостями опромінюваного насіння.

Потужність залежить від фізіологічних параметрів оброблювального матеріалу та умов навколишнього середовища.

Із метою ефективного використання енергії запропоновано бункер із захистом від розповсюдження електромагнітних хвиль за рахунок екранування.

Для передпосівної обробки насіння електромагнітними полями в сільському господарстві необхідні прилади, що здатні опромінювати насіння
полем необхідної потужності з високою здатністю передачі ЕМ енерґії
оброблюваному насінню і водночас не шкодити обслуговуючому персоналу, не створювати радіоперешкод.

Із метою ефективної роботи до приладу висунуті наступні вимоги:
вихідна потужність повинна складати Р = 20–60 Вт, робоча частота f = 27,12 МГц, тривалість опромінення – 1–60 хвилин, маса насіння, що обробляється за один цикл, – до 5 кілограмів. Також обладнання повинно мати систему ефективної передачі енерґії і систему захисту обслуговуючого персоналу. Наведені вимоги реалізуються наступним чином.

Насіння, що опромінюється, знаходиться між двома конденсаторними пластинами, на які подається напруга відповідної частоти. Довжина хвилі, яка відповідає частоті f = 27,12 МГц, складає величину

, (3.1)

де: с – швидкість світла, м/с, с = 3∙108 м/с; f – частота, Гц; f = 27,12∙106 Гц.

Тому якщо відстань між конденсаторними пластинами відповідає умові l<<, електричне поле в проміжку між пластинами можна вважати одно-рідним. Величина цього поля буде залежати тільки від моменту часу.

На вибраній частоті при обробці насіння не суттєвими будуть і прояви скін-ефекту. Дійсно, товщина скін-шару визначається співвідношенням [150]:

(3.2)

де – питомий опір насіння, Ом∙м; ω – колова частота, с-1.

.

Для насіння значення має величину приблизно =109, Ом∙м.
Тоді буде дорівнювати

.

Таке значення набагато перевищує лінійні розміри насіння. Тобто поверхневим ефектом у даному випадку можемо знехтувати. Розподіл електричного поля в насінні буде залежить виключно від діелектричних характеристик різних ділянок насіння.

Вибрана частота 27,12 МГц знаходиться в діапазоні частот 10–100 МГц, вона виділена для використання в медицині. Ця частота не застосовується для інших цілей, зокрема для радіозв’язку тощо. Завдяки цьому її використання практично виключає проблему створення радіоперешкод. Оскільки електричне поле частотою 27,12 МГц використовується в УВЧ-терапії (зокрема апарати УВЧ-30, УВЧ-50, УВЧ60-Мед ТеКо), надзвичайно спрощується задача біологічного захисту обслуговуючого персоналу [155]. Таким чином,
в якості прототипу можна взяти медичний апарат УВЧ60-Мед ТеКо.

Наведене обладнання не має систем підстроювання частоти вихідного контуру. Підстроювання частоти проводять вручну, контролюючи резонанс за світлодіодом або індикатором потужності. Це пов’язано з тим, що між конденсаторними пластинами вихідного контуру, де безпосередньо проводиться опромінення, поміщають різні біологічні об’єкти. Такі об’єкти мають різні електричні властивості. Крім того відстань між пластинами конденсатора може змінюватися в залежності від розмірів об’єкту, що опромінюється.
Також у наведеному обладнанні можуть використовуватися пластини вихідного конденсатора різного розміру, що призводить до складності в підстроюванні частоти. Крім того, практичне використанння показує, що резонансна частота вторинного контуру, з різних причин, може змінюватися під час опромінення. З метою ефективного використання енерґії і спрощення процесу налагодження приладу в роботу необхідно розробити систему автоматичного підстроювання частоти.

Під час роботи приладу для опромінення для забезпечення електро-безпеки використовується вторинний контур. Він не має ґальванічного зв’язку з генератором, що унеможливлює ураження електричним струмом обслуговуючого персоналу. Захист від ЕМ поля можна здійснити за допомогою екранування опромінюючих пластин.

1   2   3   4   5   6   7   8



Схожі:

Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович iconМіністерство аграрної політики та продовольства україни головне управління агропромислового розвитку Херсонської обласної державної адміністрації Державна податкова адміністрація у Херсонській області двнз «Херсонський державний аграрний університет» актуальні аспекти розвитку підприємств аграрної с
Актуальні аспекти розвитку підприємств аграрної сфери: облік, аудит та фінансування

Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович iconМіністерство аграрної політики І продовольства україни

Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович iconМіністерство аграрної політики та продовольства України Національна академія аграрних наук Державний вищий навчальний заклад «Херсонський державний аграрний університет»
М. Ф.Іванова «Асканія-Нова» Національний науковий селекційно-генетичний центр з вівчарства

Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович iconМіністерство аграрної політики та продовольства України Національна академія аграрних наук Державний вищий навчальний заклад «Херсонський державний аграрний університет»
М. Ф.Іванова «Асканія-Нова» Національний науковий селекційно-генетичний центр з вівчарства

Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович iconМіністерство аграрної політики та продовольства україни державний вищий навчальний заклад «херсонський державний аграрний університет» нака з

Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович iconМіністерство аграрної політики та продовольства україни сумський національний аграрний університет пропозиції науково-педагогічних працівників Сумського нау щодо наукового супроводу виробництва аграрної продукції та бізнесу на 2012 рік Суми 2012
Оцінка шляхів підвищення ефективності використання основних ресурсів у землеробстві в ринкових умовах

Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович iconУкраїна міністерство аграрної політики та продовольства України Мінагрополітики Державний вищий навчальний заклад
Найменування предмета закупівлі Продукти нафтоперероблення рідкі (код 23. 20. 1 за дк 016-97)

Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович iconПро Порядок нормативної грошової оцінки земель сільськогосподарського призначення та населених пунктів
Державний комітет україни по земельних ресурсах міністерство аграрної політики україни міністерство будівництва, архітектури та житлово-комунального...

Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович iconМіністерство аграрної політики та продовольства україни державна інспекція з карантину рослин
Укрголовдержкарантину від 04. 10. 2012 року №165 «Про заходи щодо припинення діяльності державної інспекції з карантину рослин по...

Міністерство аграрної політики та продовольства України Полтавська державна аграрна академія На правах рукопису Петровський Олександр Миколайович iconУкраїна міністерство аграрної політики та продовольства України Державний вищий навчальний заклад
Державного вищого навчального закладу «Херсонський державний аграрний університет» згідно нижченаведених умов та додатків

Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©lit.govuadocs.com.ua 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи